Гигантское инжекционное магнитосопротивление, Леонид Луцев

Создание высокочувствительных магнитных сенсоров и приборов спинтроники, работающих при комнатной температуре, является актуальной проблемой физики магнетизма. Эта проблема может быть решена полностью или частично с помощью эффекта гигантского инжекционного магнитосопротивления (IMR-эффекта), обнаруженного в 2005 году на гетероструктурах, состоящих из пленки SiO2 с наночастицами Co на арсениде галлия - SiO2(Co)/GaAs. IMR-эффект проявляется при инжекции электронов из SiO2(Co) в GaAs и достигает экстремально больших значений 100000% при комнатной температуре. Представленная теоретическая модель объясняет эффект действием магнитоуправляемого спин-зависимого барьера, сформированного в интерфейсной области полупроводника. На основе IMR-эффекта возможно создание высокочувствительных сенсоров и инжекторов спин-поляризованных электронов в спинтронных приборах. Рассмотрено влияние света на проводимость SiO2(Co)/GaAs и описаны два новых явления - отрицательная фотопроводимость и усиление...